KHX9600D2K2/1G产品标签包含了内存模组的型号、容量、速度、标准运行延迟等信息。因为内存铝质外壳直接粘贴在芯片表面，为避免损坏脆弱的FBGA芯片，笔者没有强行取下它们，也就无法了解DRAM制造商提供的芯片标识。根据以往的经验，DDR2-1066以上规格的内存模组产品99%都使用了来自Micron的内存芯片。
KHX9600产品标签状况
内存模组SPD分析
CPU-Z显示的内存模组SPD信息
CPU-Z 1.39显示的HyperX KHX9600D2K2/1G SPD信息如上图，模组容量、速度和制造商及产品型号可以识别，其他部分信息未注明。内存时序表部分包含3套设置，其中包括DDR2-400下时序为3-3-3-9，DDR2-533下时序为4-4-4-11，DDR2-800下时序为5-5-5-16，属主流DDR2-800的平均水平。
值得注意的是KHX9600D2K2/1G内存时序表中不含有DDR2-1200的相关设定，并且在模组型号的"KHX8500D2/512"上也可以看出，这实际上是DDR2-800标准型产品特挑成DDR2-1066规格并进一步特挑而成的，可以说是精品中的精品。因为目前没有任何一家DRAM厂商推出过DDR2-800以上的DDR2内存芯片，这种百里挑一的行为也是为所有出品超频型模组厂商所通用。
影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为：
CAS Latency，内存CAS延迟时间。
RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。
Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。
Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。
