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教你如何调整DDR内存参数

作者:内存超频 时间:2006-07-08 来自:内存超频 【 收藏本文

  为了帮助初涉超频的玩家尽快熟悉超频内存要用到的参数,我们以G.SKILL 1GB GH内存参数设置为例进行讲解,希望能给大家在超频过程中带来些许帮助。



  测试选用了NF4平台,主板为DFI Lanparty NF4-D。LanParty系列是DFI专为超频玩家打造的主板,可谓K8平台超频最强板。而Opteron146 采用90nm的工艺制程,大多在风冷状态下达到2.8G堪比AMD单核王者FX57。性能自不用说,DFI主板的品质也是十分有保证的,这种组合可以保证测试的稳定性。

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  下面我们来看下这次测试的主角――G.SKILL 1GB GH 512MB×2双通道包装采用华邦UTT颗粒,在默认2.7V~2.9V的超低电压下有着默认DDR400 2-2-2-5的低延迟的时续。

  启动进BIOS后,首先要调节HyperTransport(下文简称HT)频率,HT频率与CPU频率类似,分为倍频和外频两部分。HT总被很多人误解成系统总线FSB,所以不少人总是希望能够尽可能的把HT超至一个比较高的状态。HT超频对于性能的影响微不足道,而且HT频率的提高会影响整个超频的成败。事实上许多超频失败的情况,都是由于在超频时没有降低HT倍频造成的。

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  为了超频的稳定,我们首先将HT倍频降为x3,C&Q关闭,CPU电压请根据体质设定为1.450v,内存电压加至3.3v,“DRAM+03V If it’s not 3.2V”设为Enabled。高压是BH5/UTT颗粒独有的特性,你不用担心3.3v会太高,这才是刚刚起步。电压对内存超频至关重要,很多时候并不是越高越好,有时候甚至是违反常理的。比如早期的BH5在2-2-2-5 4V可以稳定运行所有测试软件,而近期的UTT加到3.9v反而不能进系统,这些只有自己多试验才会发现。BH5/UTT推荐3.3v~3.6v电压,BH5上限可到4v,UTT略低为3.8v。超频过程中请做好内存散热,以烧毁硬件设备,而且不建议在高电压下长期超频运行。

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