基本参数介绍
目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。
CL
CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。
RAS与CAS
内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。
Tras
内存预充电和有效指令之间的时间差。对于DDR内存而言，一般是预充电命令至少要在行有效命令50000ns（BIOS中显示为5）之后发出，标准是在70000ns～80000ns，此数值不可过大或过小，否则就会影响到内存运行的稳定性。
总结一下就是：CAS Latency 决定了接收寻址命令到数据进行真正被读取所花费的时间。RAS to CAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。RAS Precharge则决定了相同行寻址中不同工作的转换间隔。Tras控制了内存预充电和有效指令之间的时间差。而真正关系到内存性能的也就是CAS Latency、RAS toCAS和RAS Precharge三个延迟参数。在很多超频报告中，一般会说明内存参数为X-X-X-X，例如3-4-4-8，就是表明这个系统的内存参数设置为CL=3，RAS to CAS=4，RAS Precharge=4，Tras=8。
Command Rate
K8处理器的出现使得内存控制器第一次被整合进了CPU，其控制能力也得到了最大化加强。这就使得一些以前鲜为人知的延迟选项得以公开，最引人注目的就是“首命令延迟” Command Rate。DDR内存在寻址时，先要接收CPU的指令，然后才是行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指内存在接收CPU的指令之前的等待时间（此时间过后就是CL延迟），单位是时钟周期T。很显然，这个等待时间是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。至于Command Rate对系统性能能产生多大的影响，我们会在后面进行详细的对比测试。
